Η GIGABYTE TECHNOLOGY Co. בע"מ, יצרנית מובילה של לוחות אם, כרטיסים גרפיים ופתרונות חומרה, הכריז על שחרור לוחות אם B660 ו - H610, המציעים למשתמשים פלטפורמה מדהימה וגמישה.
Δבעל עיצוב עד 16 + 1 + 1 פאזות DrMOS VRM כאשר כל שלב יכול לעמוד עד 60 אמפר ועיצוב תרמי מכוסה במלואו, הסדרה GIGABYTE B660 ו-H610 יכול לתמוך בצורה מושלמת במעבדים העדכניים ביותר Intel® Core ™ דור 12.
היווצרותם של שני זיכרונות DDR4 ו-DDR5 עם תכונות מרגשות XMP מציע ביצועים יוצאי דופן כמו גם ביצועי אחסון מעולים, הרחבות ורשת גמישה, הטווח GIGABYTE B660 ו-H610 מביא ביצועים מדהימים מעבר לציפיות המשתמש.
התחיל מ ערכות שבבים B560, Intel® הציגה את היכולת לבצע overclock זיכרון בערכת השבבים האחרונה של B660 עם תמיכה בשניהם DDR4 כמו גם DDR5, שזכתה להעדפת המשתמשים בסדרת B. כדי לאפשר אספקת חשמל יציבה של המעבד במהירות גבוהה אוברקלוקינג XMP בזיכרון, לוחות האם של הסדרה GIGABYTE B660 AORUS ו-GAMING לאמץ עד 16 + 1 + 1 פאזות מתח עם 60 אמפר בכל שלב. סדרת AORUS מצוידת גם בגוף קירור מכוסה במלואו ורפידה תרמית 5 W/mK לפיזור חום מתקדם ויציבות משופרת באזור VRM.
קלפי האםs GIGABYTE B660 להמשיך לתמוך DDR4 ו-DDR5 מערך השבבים Z690. משופרת על ידי עיצוב הפריסה הבלעדי, הדגמים התומכים ב-DDR4 יכולים להגיע למהירות המרשימה של 5600 MHz*, בעוד הדגמים DDR5 נצל את ארכיטקטורת הזיכרון החדשה המספקת יעילות אנרגיה גבוהה, זמן השהייה נמוך וצריכת חשמל נמוכה.
בנוסף, לוחות האם GIGABYTE B660 DDR5 שדרג מספר תכונות מתקדמות מהסדרה Z690. פונקציה"מתח לא נעול DDR5"יכול לפתוח את טווח הגדרות המתח המקורי של זיכרון DDR5, מה שמאפשר למשתמשים להשיג תזמון זיכרון גבוה יותר עם יציבות רבה יותר. בנוסף, הגדרת ה-BIOS מותאמת בהתאם לרמה חדשה, אשר "מאיץ אוטומטי של DDR5"יכול לשפר את התדר המובנה שלו DDR5 מ-4800 מגה-הרץ ל-5000 מגה-הרץ בלחיצה פשוטה והגבר אוטומטית את הזיכרונות שלך לאחר טעינת Windows.
זה משפר את הביצועים של מחשבים בעולם האמיתי. ה "DDR5 XMP Booster"מאפשר למשתמשים לבחור במהירות מתוך מספר רב של פרופילי אוברקלוקינג בזיכרון מובנים ומוגדרים מראש. ה "פרופיל משתמש XMP 3.0"מאפשר למשתמשים ליצור ולהזין פרופילים בעצמם XMP לשחרר את הביצועים הקיצוניים של זיכרונות. מעל הכל, תדר הזיכרון של לוח האם GIGABYTE B660 DDR5 ניתן להגדיל ל 6000 מגה-הרץ XMP.
עבור משתמשים שמתכוונים לשפר את ביצועי המערכת על ידי שיפור מהירות הגישה של התקני אחסון, הדגמים GIGABYTE B660 AORUS, GAMING M-ATX ולמעלה משלבים שני סטים של שקעים PCIe 4.0 M.2 עם מגן תרמי אחד לפחות. עיצוב זה לא רק מחלץ ביצועים מקסימליים על 7000 MB / s של האחרון PCIe 4.0 בקר SSD, אך משתמשים יכולים גם לשפר את מהירות הגישה עם תצורת RAID.
מבחינת קישוריות, לוחות האם של הסדרה GIGABYTE B660 AORUS ו-GAMING מצוידים ב 2.5Gb Ethernet ו-802.11ax WiFi 6 / 802.11ac לרשת הגמישה ביותר. עם התצורה הנכונה, משתמשים יכולים ליהנות מרשת ברוחב פס גבוה בצורה חלקה במהלך לחימה מקוונת או אחסון רשת. מבחינת הרחבה חיצונית, לוחות האם GIGABYTE בחר B660 לְאַמֵץ USB 3.2 Gen2x2 Type C של 20 Gbps והעיצוב הקדמי USB 3.2 Gen 2 סוג C מספק מהירות שידור מהירה ויעילה יותר של אמצעי אחסון חיצוניים.
קלפי האם GIGABYTE B660 ו-H610 שוחררו לשוק. יחד עם לוחות אם Z690, הסדרה האמינה GIGABYTE Intel® 600 הוא הבחירה האולטימטיבית עבור מחשבים ומשחקים מתקדמים.
למידע נוסף, בקר באתר הרשמי של GIGABYTE: http://www.gigabyte.com.gr/products/mb/
* Τα DDR4 5600 מגה-הרץ ו-DDR5 XMP 6000 מגה-הרץ הם נתוני מעבדה, התוצאה בפועל תשתנה בהתאם למעבד, עיצוב החומרה של לוח האם, ציוד היקפי והגדרות. עיין ברשימת תמיכת הזיכרון למידע נוסף.
ידיעה לתקשורת
אל תשכח לעקוב אחריו Xiaomi-miui.gr ב חדשות גוגל לקבל מידע מיידי על כל המאמרים החדשים שלנו! אתה יכול גם אם אתה משתמש בקורא RSS, להוסיף את הדף שלנו לרשימה שלך פשוט על ידי לחיצה על הקישור הזה >> https://news.xiaomi-miui.gr/feed/gn
