Η סמסונג הודיעה רשמית שייצור המוני של צעירים מתחיל 250GB SSD שיש להם זיכרון דור 6 3 סיביות V-NAND 256Gb.
Χארין על 100 שכבות NAND (בפעם הראשונה בהיסטוריה של התעשייה), כונני ה-SSD החדשים מציעים מהירות כתיבה של 450 מיקרומטר ומהירות קריאה של 45 מיקרומטרים, וכתוצאה מכך ביצועים להיות נגד גבוה ב-10%. בהשוואה לדור הקודם. באותו הזמן, צריכת האנרגיה מופחתת ב-15%.
הדור ה-6 של ה-V-NAND מוכן תוך 13 חודשים בלבד לאחר השקתו של הקודם וזו הסיבה שמחזור הייצור ההמוני הצטמצם ב-4 חודשים. מהירות זו מאפשרת לחברה להציע טכנולוגיה טובה יותר במחירים תחרותיים וכמובן להתרחב דינמית בתחום ה-SSD.
לפי סמסונג, בקרוב יחסית היא תוכל להשיק את זיכרון ה-V-NAND הבא בן 300 השכבות פשוט על ידי ערימת שלושה זיכרונות נוכחיים זה על גבי זה, מבלי להשפיע על ביצועי המערכת ויציבותם.
[the_ad_group id = ”966 ″]Μאל תשכחו להצטרף (להירשם) לפורום שלנו, מה שניתן לעשות בקלות רבה על ידי הכפתור הבא...
(אם כבר יש לך חשבון בפורום שלנו אינך צריך להיכנס לקישור ההרשמה)
עקבו אחרינו בטלגרם!
