Η סמסונג אלקטרוניקס, מובילה עולמית בטכנולוגיית זיכרון מתקדמת, הכריזה על ייצור המוני של DRAM נייד עם הקיבולת הגבוהה ביותר.
Η DRAM נייד חדש הוא ה-4X הראשון בתעשיית הגודל 12 גיגה-בייט (GB), הספק נמוך, מהירות נתונים כפולה (LPDDR4X) - מותאם לסמארטפונים הפרימיום של מחר. עם קיבולת גבוהה יותר מרוב המחשבים הניידים הדקים במיוחד, ה-DRAM הנייד החדש יאפשר למשתמשים להפיק את המרב מכל התכונות של סמארטפון מהדור הבא.
"עם השקת הייצור ההמוני של ה-LPDDR4X החדש, סמסונג משלימה קו שלם של מוצרי זיכרון מתקדמים שישפרו את העידן החדש של הסמארטפונים, כולל פתרונות אחסון מ-12GB DRAM נייד ל-512GB eUFS 3", אמר Sewon Chun, סגן בכיר. נשיא שיווק זיכרון על ידי Samsung Electronics. "בנוסף, עם LPDDR4X, אנו מחזקים את מעמדנו כיצרנית של זיכרון סלולרי פרימיום על מנת לשרת ביעילות את הביקוש הגדל במהירות של יצרני סמארטפונים ברחבי העולם".
הודות ל-12GB DRAM נייד, יצרניות סמארטפונים יכולות למקסם את היכולות של מכשירים עם יותר מחמש מצלמות, גודל מסך הולך וגדל, כמו גם בינה מלאכותית (AI) ופונקציות 5G. עם 12GB DRAM החדש, משתמשי סמארטפון יכולים לבצע משימות רבות בו-זמנית ובצורה חלקה, לחפש מהר יותר, לנווט ללא מאמץ בין מספר יישומים, במסכים גדולים מאוד ברזולוציה גבוהה יותר. כמו כן, העיצוב הדק שלו (רק 1.1 מ"מ) משרת את העיצוב האלגנטי והפשוט של סמארטפונים.
קיבולת 12GB הושגה עם שילוב של שישה (6) שבבי LPDDR4X, 16 גיגה-ביט כל אחד, המבוססים על עיבוד דור שני של 10nm (1y-nm), בחבילה אחת, מה שמפנה יותר מקום לסוללת הסמארטפון. בנוסף, באמצעות טכנולוגיית ה-1y-nm של סמסונג, הזיכרון הנייד החדש בנפח 12GB מבטיח מהירויות העברת נתונים של עד 34.1GB לשנייה, תוך הפחתת העלייה הבלתי נמנעת בצריכת החשמל הנגרמת על ידי הגברת קיבולת ה-DRAM.
מאז שחרורו של 1GB DRAM נייד ב-2011, סמסונג ממשיכה להוביל את ההתפתחויות בשוק ה-DRAM הנייד, עם הצגת 6GB DRAM נייד ב-2015, 8GB ב-2016 והצגה של 12GB LPDDR4X הראשון. מפס ייצור הזיכרון המתקדם בקוריאה, סמסונג מתכננת יותר משלש את היצע ה-DRAMs הניידים בנפח 8GB ו-12GB המבוססים על 1y-nm, במחצית השנייה של 2019 כדי לענות על הביקוש הרב הצפוי.
לוח זמנים לייצור DRAM של Samsung Mobile: ייצור המוני
תַאֲרִיך | קיבולת | DRAM נייד |
פברואר 2019 | 12GB | 1y-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
יולי 2018 | 8GB | 1y-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
אפריל 2018 | 8GB (פיתוח) | 1x-nm 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s |
ספטמבר 2016 | 8GB | 1x-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s |
אוגוסט 2015 | 6GB | 20 ננומטר (2z) 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s |
דצמבר 2014 | 4GB | 20 ננומטר (2z) 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s |
ספטמבר 2014 | 3GB | 20 ננומטר (2z) 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
נובמבר 2013 | 3GB | 2y-nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
יולי 2013 | 3GB | 2y-nm 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
אפריל 2013 | 2GB | 2y-nm 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s |
אוגוסט 2012 | 2GB | 30 ננומטר 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s |
2011 | 1 / 2GB | 30 ננומטר 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s |
2010 | 512MB | 40Gb MDDR בדרגת 2nm, 400Mb/s |
2009 | 256MB | 50Gb MDDR בדרגת 1nm, 400Mb/s |